Name: Память SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666MHz CL19 Netac 1.2V (NTBSD4N26SP-04)
Brand: Netac
SKU: NTBSD4N26SP-04

Главная

Компьютерное оборудование

Комплектующие для ПК

Оперативная память

Память DDR4 4Gb, 8Gb, 16Gb, 32Gb

Память SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666MHz CL19 Netac 1.2V (NTBSD4N26SP-04)

Артикул:NTBSD4N26SP-04
Код товара:626833100

Габариты (мм):70

масса(кг):0.04

Расширенная операционная температура (Tcase):95 °C

rusName:[Модуль памяти] Память SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666MHz CL19 Netac 1.2V (NTBSD4N26SP-04)

Потребление энергии:3 Вт

Линейка:Нет

сайт производителя:http://www.netac.com/

Производитель:Netac

Количество модулей в комплекте (шт):1

Пропускная способность (МБ/с):21300

Все характеристики

Под заказ (запрашивайте)

1 150 ₽0 ₽

Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!

f4e3e26efe3436b73be41873fa8023ed

Память NTBSD4N26SP-04 от компании Netac

Габариты (мм)

масса(кг)

0.04

Расширенная операционная температура (Tcase)

95 °C

rusName

[Модуль памяти] Память SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666MHz CL19 Netac 1.2V (NTBSD4N26SP-04)

Потребление энергии

3 Вт

Линейка

Нет

сайт производителя

http://www.netac.com/

Производитель

Netac

Количество модулей в комплекте (шт)

Пропускная способность (МБ/с)

21300

ширина(см)

Поддержка ECC

Нет

гарантия

1 год

CAS Latency (CL)

Тип модуля

SO-DIMM

Поддержка водяного охлаждения

Нет

Низкопрофильная

Нет

Радиатор

Нет

Подсветка

Нет

Производитель

Netac

Количество контактов

260

длина(см)

описание

Память NTBSD4N26SP-04 от компании Netac

Row Precharge Delay (tRP)

Объем одного модуля (ГБ)

manufacturerCountry

КИТАЙ

Модель

NTBSD4N26SP-04

Напряжение (В)

1.2

название

Память SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666MHz CL19 Netac 1.2V (NTBSD4N26SP-04)

RAS to CAS Delay (tRCD)

GTIN

06926337231150

высота(см)

Тайминги

19-19-19-43

Тип оборудования

Память

gtdNumber

10005030/150722/3193383

Частота (MHz)

DDR4 - 2666

Поддержка Reg

Нет

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Нормальная операционная температура (Tcase)

85 °C

Общий объем памяти (ГБ)